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Memória Ram Kingston para Notebook 16GB DDR4 3200Mhz KVR
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Memória Ram Kingston para Notebook 16GB DDR4 3200Mhz KVR
Descrição do produto
Impulsione o desempenho do seu notebook com a Memória RAM 16GB DDR4 3200Mhz KVR da Kingston. Ideal para quem busca mais velocidade e eficiência, essa memória proporciona fluidez no uso de aplicativos pesados, edição de vídeos, multitarefas e até jogos. Com 16GB de capacidade e frequência de 3200Mhz, garante respostas rápidas e carregamento ágil de programas. Compatível com notebooks que utilizam DDR4, é uma atualização prática e eficaz para seu sistema. A instalação é simples e pode ser feita mesmo por quem tem pouca experiência com hardware. A confiabilidade da Kingston assegura durabilidade e performance consistente. Seja para trabalho, estudos ou lazer, essa memória RAM transforma a experiência com seu notebook, tornando tudo mais rápido e sem travamentos. Uma solução de alto desempenho com excelente custo-benefício, pensada para atender as exigências dos usuários mais dedicados.
Especificações
Tempo de Garantia
03 Meses
Origem
Importado
Ficha Tecnica
| MARCA | Kingston |
| MODELO | KVR32S22S8/16 |
| ESPECIFICAÇÕES | Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS) |
| Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) Topologia fly-by | |
| Comando de controle terminado e barramento de endereço PCB: Altura 1,23 (30,00 mm) | |
| Compatível com RoHS e livre de halogênio Especificações: Classificação UL: 94 V-0 CL: 22 ciclos Timings | |
| Tempo de ciclo de linha: 45,75ns (min.) | |
| Tempo de comando de refresh: 350ns (min.) | |
| Tempo de linha ativa: 32ns (min.) | |
| Temperaturas Temperatura de operação: 0°C a +85°C | |
| Temperatura de armazenamento: -55°C a +100°C.] | |
| RECURSOS | Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica VDDQ = 1,2 V típico VPP = 2,5 V típico VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V |
| Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara | |
| Auto-atualização de baixa potência (LPASR) Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados | |
| Geração e calibração de VREFDQ na matriz Single-rank EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD) 16 bancos internos | |
| 4 grupos de 4 bancos cada Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS) | |
| Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) | |
| Topologia fly-by | |
| Comando de controle terminado e barramento de endereço PCB: Altura 1,23 (30,00 mm) | |
| Compatível com RoHS e livre de halogênio Imagens de caráter ilustrativo | |
| Informações divulgadas de acordo com o manual do fabricante | |
| PESO DO PRODUTO | 500 g (Com embalagem) |
